7月17日上午三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb(1GB),8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
功耗方面,比LPDDR4X降低高達(dá)30%,主要是得益于動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。

三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高,1.1V工作電壓下可達(dá)6400Mbps,1.05V下可達(dá)5500Mbps,供手機(jī)、車載平臺(tái)自行選擇。
新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分,后者已經(jīng)包括10nm級(jí)的16Gb GDDR6顯存芯片(2017年12月量產(chǎn))和16Gb DDR5內(nèi)存芯片(今年2月份開發(fā)完成)。
三星將在位于韓國(guó)平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。