三星GALAXY S6 edge評(píng)測(cè)：硬件

　　三星在S6 edge上做出的一件讓人津津樂道的事情是棄用了高通處理器，這在幾個(gè)月前的Note 4上還是一個(gè)“不可能完成的任務(wù)”。但隨著三星Exynos 7420的到來(lái)，三星手機(jī)去高通化有了足夠的資本。

　　Exynos 7420創(chuàng)造了三星移動(dòng)芯片上的多個(gè)第一，首先它是三星首個(gè)64位芯片，Exynos 7420基于ARM A57+A53的big.LITTLE架構(gòu)；其次Exynos 7420是移動(dòng)芯片領(lǐng)域首個(gè)采用14nm FinFET工藝的產(chǎn)品，迄今為止只有三星和英特爾在量產(chǎn)FinFET工藝的14nm芯片；Exynos 7420集成了最高內(nèi)存帶寬可達(dá)25.6GB/s的Mali-T760 MP8圖形處理器，這也是目前為止最強(qiáng)的移動(dòng)圖形處理器芯片。

　　不過(guò)受制于專利以及全球推廣的問題，三星在SoC的基帶方面還是用了高通的解決方案，這一點(diǎn)和之前媒體猜測(cè)的集成基帶或者是外掛Intel基帶有出入。而用于測(cè)試的這款型號(hào)為G9250支持雙4G網(wǎng)絡(luò)，這也是拜高通的基帶所賜。

　　不過(guò)我拿到的這款測(cè)試機(jī)很明顯被官方限制了測(cè)試軟件的安裝，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)檢測(cè)軟件簽名，我測(cè)試了大部分的跑分軟件，都無(wú)法安裝，對(duì)于Exynos 7420的解析只能待正式版到來(lái)再議了。

　　當(dāng)然，S6 edge硬件部分的亮點(diǎn)不止于此，用于內(nèi)存部分的LPDDR4 RAM和UFS2.0存儲(chǔ)技術(shù)也成為這一代S系列的亮點(diǎn)。

　　圖片來(lái)自互聯(lián)網(wǎng)

　　LPDDR 4已經(jīng)確認(rèn)會(huì)在今年成為標(biāo)配，相比之前被廣泛使用的LPDDR 3內(nèi)存，DDR4在帶寬（25.6GB/s）、主頻（1.6GHz）和電壓方面有明顯的優(yōu)勢(shì)。更大的帶寬意味著內(nèi)存數(shù)據(jù)交換的速度會(huì)加快，這將幫助S6 edge獲得更快的任務(wù)加載速度。

　　圖片來(lái)自互聯(lián)網(wǎng)

　　UFS 2.0也是來(lái)自三星自家的產(chǎn)品。相比于目前市面上被廣泛使用的eMMC 5.1，UFS 2.0被看作是下一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品，其不僅速度更快，而且還支持讀寫數(shù)據(jù)同步進(jìn)行，滿足了移動(dòng)設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)交換的更高要求。從理論數(shù)值來(lái)看，UFS2.0的連續(xù)讀取速度是350MB/s，連續(xù)寫入速度達(dá)到150MB/s，即便是現(xiàn)在最頂尖的eMMC 5.1在這兩項(xiàng)上也和UFS 2.0存在不小的差距。

　　我內(nèi)存測(cè)試軟件簡(jiǎn)單測(cè)試了一下三星S6 edge（UFS 2.0）和HTCOne M8（eMMC 4.5）兩款手機(jī)的內(nèi)存處理速度，從數(shù)據(jù)中可以明顯看到，UFS 2.0在讀寫速度上相比eMMC 4.5有著相當(dāng)明顯的優(yōu)勢(shì)，這無(wú)疑將對(duì)手機(jī)存儲(chǔ)性能有著質(zhì)的提升。