2024年度中國第三代半導體技術十大進展近日發(fā)布，其中三項成果有廈門企業(yè)、高校的身影，彰顯廈門發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)的質(zhì)量和成色。

　　這些技術進展，是在蘇州舉行的“第十屆國際第三代半導體論壇暨第二十一屆中國國際半導體照明論壇”上揭曉的。大會程序委員會表示，這些技術進展不僅代表了第三代半導體行業(yè)的技術前沿，也預示著產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新方向。

　　為新型顯示技術提供新方案

　　作為第三代半導體的關鍵應用領域，Micro-LED擁有高亮度、長壽命、低功耗等特點，被認為是下一代主流顯示技術。此次發(fā)布的技術進展中，與Micro-LED相關的成果備受關注。

　　其中，南京大學、廈門大學、合肥工業(yè)大學等高校聯(lián)合攻關“氮化鎵基高銦組分紅光材料及其Micro-LED器件技術”，并進一步與廈門未來顯示研究院、天馬微電子公司合作，共同研制出國際上第一塊基于銦鎵氮基紅綠藍Micro-LED芯片的1.63寸、像素密度達403PPI的TFT驅(qū)動全彩顯示屏，完成了Micro-LED全彩顯示方案的新技術驗證。

　　目前，市面上常規(guī)的Micro-LED顯示屏，藍光和綠光芯片用銦鎵氮材料制作，而紅光芯片采用鋁銦鎵磷材料，高溫環(huán)境會出現(xiàn)顯示屏幕偏藍等問題。首次成功用銦鎵氮材料制備的紅光芯片開發(fā)出的全彩顯示屏，證實了全氮化物顯示技術的可行性，為未來新型顯示技術提供了新的全彩技術方案。

　　解決半導體制造關鍵技術瓶頸

　　十大技術進展中，“高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED顯示芯片”，由思坦科技參與聯(lián)合攻關的重大創(chuàng)新項目——基于高功率AlGaN（鋁鎵氮）深紫外Micro-LED顯示的無掩膜光刻技術研發(fā)制成。

　　光刻技術是集成電路制造的“心臟”，在傳統(tǒng)光刻過程中，掩膜版的制造和更換成本高，光刻效率也受到多重限制。思坦科技研發(fā)的高功率AlGaN深紫外Micro-LED技術，利用無掩膜光刻的方法，不僅解決了半導體制造中的關鍵技術瓶頸，還提供了一條制造成本更低、曝光效率更高的解決方案。這項研究成果，于今年10月在國際權(quán)威學術期刊 Nature Photonics（《自然光子學》）上發(fā)表。

　　思坦科技是業(yè)內(nèi)最早研發(fā)Micro-LED的企業(yè)之一，其在廈門火炬高新區(qū)建設的國內(nèi)首條Micro-LED單片鍵合生產(chǎn)線，于今年6月點亮投產(chǎn)。

　　企校合作推進產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新

　　十大技術進展還提到，我國“氮化鎵基藍光激光器關鍵技術取得產(chǎn)業(yè)化突破”，包括三安光電在內(nèi)的多家企業(yè)推出了藍光激光器產(chǎn)品。

　　氮化鎵基藍光激光器具有驅(qū)動能耗低、輸出能量大、體積小、性能穩(wěn)定的特點，可應用于顯示、材料加工、通信、光存儲、醫(yī)療、生物科學等領域。

　　據(jù)悉，三安光電與廈門大學長期合作，推進產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新，雙方聯(lián)合研發(fā)的超8瓦大功率InGaN（氮化銦鎵）藍光激光器設計和制作達到了國際先進水平。

　　背景

　　我市加速布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)

　　以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體，被稱為“未來電子產(chǎn)業(yè)的基石”，在新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、半導體照明、消費類電子等領域具有廣泛應用。

　　近年來，我市加速布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)，通過培育產(chǎn)業(yè)生態(tài)、強化龍頭帶動、加大研發(fā)投入，持續(xù)招大引強等多措并舉，已集聚士蘭微、瀚天天成、三安光電等一批頭部企業(yè)，初步構(gòu)建了打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)的生態(tài)體系。作為我市半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)的主要承載地，廈門火炬高新區(qū)已形成功率半導體、射頻半導體和光電半導體等3個子產(chǎn)業(yè)鏈（群），曾榮獲2022年度“第三代半導體最具競爭力產(chǎn)業(yè)園區(qū)”。

　　（廈門日報記者 林露虹）